Study of InGaAs/GaAs(001) buffers by combined growth of ALMBE-MBE in dynamic or stepped way

摘要

[ES] El estudio mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) de capas InGaAs/GaAs(001) crecidas a 200ºC reflejó la existencia de\uduna red de dislocaciones de Lomer en el seno de la capa, muy prometedora para la efectiva relajación de la estructura con una disminución\uden la densidad de dislocaciones de propagación. Sin embargo, la capa presentaba un grado de relajación deficiente, por lo que resultaba\udmetaestable. Con el fin de aprovechar las ventajas que ofrecía dicha red de Lomer, se crecieron capas de desacoplo a 200ºC seguidas de una\udcapa a 400º o 500ºC (en forma dinámica y escalonada) para relajar completamente la estructura. No obstante, no se consiguió reproducir\udla mencionada red, observándose otra constituida por dislocaciones de 60º, situada en la zona de cambio entre las dos temperaturas de\udcrecimiento utilizadas. Las razones de este cambio se discuten en el trabajo.